페이지 인쇄
PSMN0R9-25YLC,115
Power MOSFET, N Channel, 25 V, 100 A, 990 µohm, SOT-669, Surface Mount
이미지는 참고용으로만 제공됩니다. 자세한 내용은 제품 설명을 참조하세요.
제품 정보
제조업체NEXPERIA
제조업체 부품 번호PSMN0R9-25YLC,115
주문 코드1895396
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds25V
Continuous Drain Current Id100A
Drain Source On State Resistance990µohm
Transistor Case StyleSOT-669
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max1.41V
Power Dissipation137W
No. of Pins4Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
Qualification-
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCLead (21-Jan-2025)
제품 개요
The PSMN0R9-25YLC is a 25V logic level N-channel Enhancement Mode MOSFET using NextPower technology. Optimised for 4.5V gate drive utilising NextPower Superjunction technology. This device is designed for power OR-ing, server power supplies and sync rectifier applications.
- Ultra low QG, QGD and QOSS for high system efficiencies at low and high loads
- Ultra low RDS (ON) and low parasitic inductance
애플리케이션
Power Management, Industrial
기술 사양
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
100A
Transistor Case Style
SOT-669
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
137W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
Lead (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
25V
Drain Source On State Resistance
990µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1.41V
No. of Pins
4Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
PSMN0R9-25YLC,115의 대체 제품
6개 제품을 찾았습니다.
관련 제품
1개 제품을 찾았습니다.
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Philippines
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Philippines
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:Y-Ex
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:Lead (21-Jan-2025)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.000145