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PSMN1R8-40YLC,115
Power MOSFET, N Channel, 40 V, 100 A, 1500 µohm, SOT-669, Surface Mount
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| 1+ | ₩3,814 |
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| 100+ | ₩1,671 |
| 500+ | ₩1,326 |
| 1000+ | ₩1,164 |
| 5000+ | ₩1,126 |
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제품 정보
제조업체NEXPERIA
제조업체 부품 번호PSMN1R8-40YLC,115복사
제조업체 표준 리드 타임15주
주문 코드2319898
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds40V
Continuous Drain Current Id100A
Drain Source On State Resistance1500µohm
Transistor Case StyleSOT-669
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max1.45V
Power Dissipation272W
No. of Pins4Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
Qualification-
SVHCLead (25-Jun-2025)
제품 개요
The PSMN1R8-40YLC is a 40V logic level N-channel Enhancement Mode MOSFET using NextPower technology. Optimised for 4.5V gate drive utilising NextPower Superjunction technology. This device is designed for power OR-ing, server power supplies and sync rectifier applications.
- Ultra low QG, QGD and QOSS for high system efficiencies at low and high loads
- Ultra low RDS (ON) and low parasitic inductance
애플리케이션
Power Management, Industrial
기술 사양
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
100A
Transistor Case Style
SOT-669
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
272W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
Lead (25-Jun-2025)
Drain Source Voltage Vds
40V
Drain Source On State Resistance
1500µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1.45V
No. of Pins
4Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
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법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Philippines
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Philippines
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:Y-Ex
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:Lead (25-Jun-2025)
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제품 준수 증명서
무게(kg):.000454