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PSMN8R7-80BS,118
Power MOSFET, N Channel, 80 V, 90 A, 7500 µohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount
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| 1+ | ₩5,176 |
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제품 정보
제조업체NEXPERIA
제조업체 부품 번호PSMN8R7-80BS,118복사
제조업체 표준 리드 타임15주
주문 코드2112547
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds80V
Continuous Drain Current Id90A
Drain Source On State Resistance7500µohm
Transistor Case StyleTO-263 (D2PAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Power Dissipation170W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
Qualification-
SVHCLead (25-Jun-2025)
제품 개요
The PSMN8R7-80BS is a N-channel MOSFET suitable for standard level gate drive sources. It is designed and qualified for use in a wide range of load switching, server power supplies, DC-to-DC converters and domestic equipment applications.
- High efficiency due to low switching and conduction losses
- -55 to 175°C Junction temperature range
애플리케이션
Power Management, Communications & Networking, Consumer Electronics, Motor Drive & Control, Industrial
경고
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
기술 사양
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
90A
Transistor Case Style
TO-263 (D2PAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
170W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
Lead (25-Jun-2025)
Drain Source Voltage Vds
80V
Drain Source On State Resistance
7500µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
기술 문서 (1)
PSMN8R7-80BS,118의 대체 제품
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관련 제품
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법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Philippines
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Philippines
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:Y-Ex
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:Lead (25-Jun-2025)
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제품 준수 증명서
무게(kg):.001384