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제품 정보
제조업체NXP
제조업체 부품 번호BFQ19
주문 코드1081292
기술 데이터 시트
Transistor PolarityNPN
Collector Emitter Voltage Max15V
Power Dissipation1W
Continuous Collector Current100mA
Transistor Case StyleSOT-89
No. of Pins3Pins
DC Current Gain hFE Min80hFE
Transistor MountingSurface Mount
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
제품 개요
The BFQ19 is a 5GHz NPN Wideband Transistor designed for use in UHF and microwave amplifiers such as in aerial amplifiers, radar systems, oscilloscopes and spectrum analysers. The transistor features very low intermodulation distortion and high power gain. Due to its very high transition frequency, it also has excellent wideband properties and low noise up to high frequencies.
- 175°C Junction temperature
애플리케이션
RF Communications
기술 사양
Transistor Polarity
NPN
Power Dissipation
1W
Transistor Case Style
SOT-89
DC Current Gain hFE Min
80hFE
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Collector Emitter Voltage Max
15V
Continuous Collector Current
100mA
No. of Pins
3Pins
Transistor Mounting
Surface Mount
Product Range
-
기술 문서 (1)
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Netherlands
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Netherlands
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.0001