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MRFE6VP6300HR5
RF FET Transistor, 130 VDC, 1.05 kW, 1.8 MHz, 600 MHz, NI-780
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| 1+ | ₩224,911 |
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| 10+ | ₩192,456 |
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제품 정보
제조업체NXP
제조업체 부품 번호MRFE6VP6300HR5
주문 코드2776250
기술 데이터 시트
Drain Source Voltage Vds130VDC
Continuous Drain Current Id-
Power Dissipation1.05kW
Operating Frequency Min1.8MHz
Operating Frequency Max600MHz
Transistor Case StyleNI-780
No. of Pins4Pins
Operating Temperature Max225°C
Channel TypeN Channel
Transistor MountingFlange
Product Range-
MSL-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
제품 개요
MRFE6VP6300HR5 is a RF power field effect transistor. A high ruggedness N-channel enhancement mode lateral MOSFETs. This device is designed for use in high VSWR industrial (including laser and plasma exciters), broadcast (analogue and digital), aerospace and radio/land mobile applications. This has unmatched input and output designs allowing wide frequency range utilization, between 1.8 and 600MHz.
- Device can be used single ended or in a push pull configuration
- Qualified up to a maximum of 50VDD operation
- Characterized from 30V to 50V for extended power range
- Suitable for linear application with appropriate biasing
- Integrated ESD protection
- Greater negative gate--source voltage range for improved class C operation
- Characterized with series equivalent large--signal impedance parameters
기술 사양
Drain Source Voltage Vds
130VDC
Power Dissipation
1.05kW
Operating Frequency Max
600MHz
No. of Pins
4Pins
Channel Type
N Channel
Product Range
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Continuous Drain Current Id
-
Operating Frequency Min
1.8MHz
Transistor Case Style
NI-780
Operating Temperature Max
225°C
Transistor Mounting
Flange
MSL
-
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Malaysia
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Malaysia
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.008165