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MRFE6VS25NR1
RF FET Transistor, 133 VDC, 1.8 MHz, 2000 MHz, TO-270
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제품 정보
제조업체NXP
제조업체 부품 번호MRFE6VS25NR1
주문 코드2776252
기술 데이터 시트
Drain Source Voltage Vds133VDC
Continuous Drain Current Id-
Power Dissipation-
Operating Frequency Min1.8MHz
Operating Frequency Max2000MHz
Transistor Case StyleTO-270
No. of Pins2Pins
Operating Temperature Max225°C
Channel TypeN Channel
Transistor MountingFlange
Product Range-
MSLMSL 3 - 168 hours
SVHCNo SVHC (27-Jun-2018)
제품 개요
The MRFE6VS25NR1 is a N-channel RF Power LDMOS Transistor designed for both narrowband and broadband ISM, broadcast and aerospace applications operating at frequencies from 1.8 to 2000MHz. It is fabricated using enhanced ruggedness platform and is suitable for use in applications where high VSWRs are encountered.
- High ruggedness
- Enhancement-mode lateral MOSFET
- Wide operating frequency range
- Extreme ruggedness
- Unmatched, capable of very broadband operation
- Integrated stability enhancements
- Low thermal resistance
- Extended ESD protection circuit
기술 사양
Drain Source Voltage Vds
133VDC
Power Dissipation
-
Operating Frequency Max
2000MHz
No. of Pins
2Pins
Channel Type
N Channel
Product Range
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2018)
Continuous Drain Current Id
-
Operating Frequency Min
1.8MHz
Transistor Case Style
TO-270
Operating Temperature Max
225°C
Transistor Mounting
Flange
MSL
MSL 3 - 168 hours
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Malaysia
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Malaysia
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2018)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.0003