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MRFX1K80NR5
RF FET Transistor, 179 V, 3.333 kW, 1.8 MHz, 400 MHz, OM-1230
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|---|---|
| 1+ | ₩295,025 |
| 5+ | ₩275,883 |
| 10+ | ₩256,740 |
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제품 정보
제조업체NXP
제조업체 부품 번호MRFX1K80NR5
주문 코드2985306
기술 데이터 시트
Drain Source Voltage Vds179V
Continuous Drain Current Id-
Power Dissipation3.333kW
Operating Frequency Min1.8MHz
Operating Frequency Max400MHz
Transistor Case StyleOM-1230
No. of Pins4Pins
Operating Temperature Max225°C
Channel TypeN Channel
Transistor MountingFlange
Product Range-
MSLMSL 3 - 168 hours
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
제품 개요
MRFX1K80NR5 is a wideband RF Power LDMOS transistor in a 4 pin OM-1230 package. This high ruggedness device is designed for use in high VSWR industrial, medical, broadcast, aerospace and mobile radio applications. Their unmatched input and output design supports frequency use from 1.8 to 400MHz.
- Unmatched input and output allowing wide frequency range utilization
- Device can be used single ended or in a push pull configuration
- Qualified up to a maximum of 65VDD operation
- Characterized from 30 to 65V for extended power range
- Lower thermal resistance package
- High breakdown voltage for enhanced reliability
- Suitable for linear application with appropriate biasing
- Integrated ESD protection with greater negative gate-source voltage for improved Class C operation
기술 사양
Drain Source Voltage Vds
179V
Power Dissipation
3.333kW
Operating Frequency Max
400MHz
No. of Pins
4Pins
Channel Type
N Channel
Product Range
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Continuous Drain Current Id
-
Operating Frequency Min
1.8MHz
Transistor Case Style
OM-1230
Operating Temperature Max
225°C
Transistor Mounting
Flange
MSL
MSL 3 - 168 hours
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Malaysia
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Malaysia
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
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제품 준수 증명서
무게(kg):.009072