페이지 인쇄
2N5684G
Bipolar (BJT) Single Transistor, General Purpose, PNP, 80 V, 50 A, 300 W, TO-204, Through Hole
이미지는 참고용으로만 제공됩니다. 자세한 내용은 제품 설명을 참조하세요.
47 재고
더 필요하세요?
47 3-4 영업일 이내 배송(영국 재고)
| 수량 | 가격 |
|---|---|
| 1+ | ₩20,066 |
| 5+ | ₩17,331 |
| 10+ | ₩14,596 |
| 50+ | ₩14,281 |
| 100+ | ₩13,966 |
| 250+ | ₩13,650 |
가격기준Each
주문 최소수량: 1
주문 배수수량: 1
₩20,066
라인 메모 추가
이 주문에 한해 주문 확인서, 청구서, 발송장에 추가됨,
이 번호는 주문 확인서, 청구서, 발송장, 웹 확인 이메일, 제품 라벨에 추가됩니다.
제품 정보
제조업체ONSEMI
제조업체 부품 번호2N5684G
주문 코드1611195
Product Range2NXXXX
기술 데이터 시트
Transistor PolarityPNP
Collector Emitter Voltage Max80V
Continuous Collector Current50A
Power Dissipation300W
Transistor Case StyleTO-204
Transistor MountingThrough Hole
No. of Pins2Pins
Transition Frequency2MHz
DC Current Gain hFE Min2hFE
Operating Temperature Max200°C
Product Range2NXXXX
Qualification-
MSL-
SVHCLead (27-Jun-2024)
제품 개요
The 2N5684G is a 50A PNP high-current complementary Silicon Power Transistor designed for use in high-power amplifier and switching circuit applications.
- DC current gain (15 to 60 hFE @ 25A DC IC)
- Low collector-emitter saturation voltage (1VDC maximum VCE(sat) @ 25A DC IC)
애플리케이션
Industrial, Power Management
기술 사양
Transistor Polarity
PNP
Continuous Collector Current
50A
Transistor Case Style
TO-204
No. of Pins
2Pins
DC Current Gain hFE Min
2hFE
Product Range
2NXXXX
MSL
-
Collector Emitter Voltage Max
80V
Power Dissipation
300W
Transistor Mounting
Through Hole
Transition Frequency
2MHz
Operating Temperature Max
200°C
Qualification
-
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
관련 제품
1개 제품을 찾았습니다.
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Mexico
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Mexico
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:Y-Ex
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:Lead (27-Jun-2024)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.014288