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제품 정보
제조업체ONSEMI
제조업체 부품 번호2N6284G복사
제조업체 표준 리드 타임22주
주문 코드2535604
기술 데이터 시트
Transistor PolarityNPN
Collector Emitter Voltage V(br)ceo100V
Power Dissipation Pd160W
DC Collector Current20A
RF Transistor CaseTO-3
No. of Pins2Pins
DC Current Gain hFE100hFE
Transistor MountingThrough Hole
Operating Temperature Max200°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
제품 개요
The 2N6284G is a NPN Darlington bipolar Power Transistor with monolithic construction, built-in base-emitter shunt resistors, designed for general-purpose amplifier and low-frequency switching applications.
- High DC current gain
- 1.09°C/W Junction-to-case thermal resistance
애플리케이션
Audio, Industrial
기술 사양
Transistor Polarity
NPN
Power Dissipation Pd
160W
RF Transistor Case
TO-3
DC Current Gain hFE
100hFE
Operating Temperature Max
200°C
Qualification
-
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
100V
DC Collector Current
20A
No. of Pins
2Pins
Transistor Mounting
Through Hole
Product Range
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
기술 문서 (1)
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법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Mexico
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Mexico
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:Y-Ex
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.01202
