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BC847BPDXV6T1G
Bipolar Transistor Array, NPN, PNP, 45 V, 45 V, 100 mA, 100 mA, 500 mW
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|---|---|
| 5+ | ₩269 |
| 10+ | ₩170 |
| 100+ | ₩107 |
| 500+ | ₩80 |
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제품 정보
제조업체ONSEMI
제조업체 부품 번호BC847BPDXV6T1G
주문 코드2533394
기술 데이터 시트
Transistor PolarityNPN, PNP
Collector Emitter Voltage Max NPN45V
Collector Emitter Voltage Max PNP45V
Continuous Collector Current NPN100mA
Continuous Collector Current PNP100mA
Power Dissipation NPN500mW
Power Dissipation PNP500mW
DC Current Gain hFE Min NPN200hFE
DC Current Gain hFE Min PNP200hFE
Transistor Case StyleSOT-563
No. of Pins6Pins
Transistor MountingSurface Mount
Operating Temperature Max150°C
Transition Frequency NPN100MHz
Transition Frequency PNP100MHz
Product Range-
Qualification-
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
기술 사양
Transistor Polarity
NPN, PNP
Collector Emitter Voltage Max PNP
45V
Continuous Collector Current PNP
100mA
Power Dissipation PNP
500mW
DC Current Gain hFE Min PNP
200hFE
No. of Pins
6Pins
Operating Temperature Max
150°C
Transition Frequency PNP
100MHz
Qualification
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Collector Emitter Voltage Max NPN
45V
Continuous Collector Current NPN
100mA
Power Dissipation NPN
500mW
DC Current Gain hFE Min NPN
200hFE
Transistor Case Style
SOT-563
Transistor Mounting
Surface Mount
Transition Frequency NPN
100MHz
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
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법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
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제품 준수 증명서
무게(kg):.000003