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제품 정보
제조업체ONSEMI
제조업체 부품 번호BC857BLT1G
주문 코드1459044
Product RangeBCxxx
기술 데이터 시트
Transistor PolarityPNP
Collector Emitter Voltage Max45V
Continuous Collector Current100mA
Power Dissipation225mW
Transistor Case StyleSOT-23
Transistor MountingSurface Mount
No. of Pins3Pins
Transition Frequency100MHz
DC Current Gain hFE Min100hFE
Operating Temperature Max150°C
Product RangeBCxxx
QualificationAEC-Q101
MSL-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
제품 개요
The BC857BLT1G is a -45V PNP silicon Bipolar Transistor designed for use in linear and switching applications. The device is suitable for lower power surface mount applications.
- Halogen-free/BFR-free
- -50V Collector to base voltage (VCBO)
- -5V Emitter to base voltage (VEBO)
- -200mADC Peak collector current
- 556°C/W Thermal resistance, junction to ambient
애플리케이션
Industrial
기술 사양
Transistor Polarity
PNP
Continuous Collector Current
100mA
Transistor Case Style
SOT-23
No. of Pins
3Pins
DC Current Gain hFE Min
100hFE
Product Range
BCxxx
MSL
-
Collector Emitter Voltage Max
45V
Power Dissipation
225mW
Transistor Mounting
Surface Mount
Transition Frequency
100MHz
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
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법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.09