페이지 인쇄
BD137G
Bipolar (BJT) Single Transistor, General Purpose, NPN, 60 V, 1.5 A, 65 W, TO-225AA, Through Hole
이미지는 참고용으로만 제공됩니다. 자세한 내용은 제품 설명을 참조하세요.
2,566 재고
더 필요하세요?
2566 3-4 영업일 이내 배송(영국 재고)
| 수량 | 가격 |
|---|---|
| 1+ | ₩727 |
| 10+ | ₩720 |
| 100+ | ₩604 |
| 500+ | ₩461 |
| 1000+ | ₩389 |
| 5000+ | ₩382 |
가격기준Each
주문 최소수량: 1
주문 배수수량: 1
₩727
부품 번호 /라인 메모 추가
이 주문에 한해 주문 확인서, 청구서, 발송장에 추가됨,
이 번호는 주문 확인서, 청구서, 발송장, 웹 확인 이메일, 제품 라벨에 추가됩니다.
제품 정보
제조업체ONSEMI
제조업체 부품 번호BD137G
주문 코드1653612
기술 데이터 시트
Transistor PolarityNPN
Collector Emitter Voltage Max60V
Continuous Collector Current1.5A
Power Dissipation65W
Transistor Case StyleTO-225AA
Transistor MountingThrough Hole
No. of Pins3Pins
Transition Frequency-
DC Current Gain hFE Min40hFE
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
제품 개요
The BD137G is a 60V NPN bipolar medium-power Silicon Transistor designed for use as audio amplifiers and drivers utilizing complementary or quasi complementary circuits.
- Complementary with BD138
애플리케이션
Industrial, Power Management, Audio
기술 사양
Transistor Polarity
NPN
Continuous Collector Current
1.5A
Transistor Case Style
TO-225AA
No. of Pins
3Pins
DC Current Gain hFE Min
40hFE
Product Range
-
MSL
-
Collector Emitter Voltage Max
60V
Power Dissipation
65W
Transistor Mounting
Through Hole
Transition Frequency
-
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.000454