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더 이상 제조되지 않음
제품 정보
제조업체ONSEMI
제조업체 부품 번호BS108G복사
주문 코드9556818
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds200V
Continuous Drain Current Id230mA
Drain Source On State Resistance8ohm
Transistor Case StyleTO-92
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage2.8V
Gate Source Threshold Voltage Max1.5V
Power Dissipation830mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (15-Jan-2018)
기술 사양
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
230mA
Transistor Case Style
TO-92
Rds(on) Test Voltage
2.8V
Power Dissipation
830mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (15-Jan-2018)
Drain Source Voltage Vds
200V
Drain Source On State Resistance
8ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
1.5V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
기술 문서 (1)
관련 제품
1개 제품을 찾았습니다.
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:United States
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:United States
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:추후 공고함
SVHC:No SVHC (15-Jan-2018)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.0002
