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BSS123LT1G
Power MOSFET, N Channel, 100 V, 170 mA, 6 ohm, SOT-23, Surface Mount
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포장 옵션
| 포장 유형 | 수량 | 단가: | 총계 |
|---|---|---|---|
| 컷 테이프 | 5 | ₩265 | ₩1,325 |
| 총계 가격 | ₩1,325 | ||
컷 테이프 & 리릴링
| 수량 | 가격 |
|---|---|
| 5+ | ₩265 |
| 50+ | ₩216 |
| 100+ | ₩166 |
| 500+ | ₩99 |
| 1500+ | ₩97 |
| 3000+ | ₩92 |
| 7500+ | ₩88 |
풀릴
| 수량 | 가격 |
|---|---|
| 3000+ | ₩103 |
| 9000+ | ₩101 |
라인 메모 추가
이 주문에 한해 주문 확인서, 청구서, 발송장에 추가됨,
제품 정보
제조업체ONSEMI
제조업체 부품 번호BSS123LT1G
주문 코드
풀릴2317884
리릴링9558640RL
컷 테이프9558640
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id170mA
Drain Source On State Resistance6ohm
Transistor Case StyleSOT-23
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10VDC
Gate Source Threshold Voltage Max2.6V
Power Dissipation225mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
제품 개요
The BSS123LT1G is a N-channel Power MOSFET with drain source voltage at 100VDC and drain current at 170mA.
- AEC-Q101 Qualified
- PPAP capable
애플리케이션
Automotive
기술 사양
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
170mA
Transistor Case Style
SOT-23
Rds(on) Test Voltage
10VDC
Power Dissipation
225mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Drain Source Voltage Vds
100V
Drain Source On State Resistance
6ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2.6V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
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법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.000389