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BSS138W
Power MOSFET, N Channel, 50 V, 210 mA, 3.5 ohm, SOT-323, Surface Mount
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포장 옵션
| 포장 유형 | 수량 | 단가: | 총계 |
|---|---|---|---|
| 컷 테이프 | 5 | ₩414 | ₩2,070 |
| 총계 가격 | ₩2,070 | ||
컷 테이프 & 리릴링
| 수량 | 가격 |
|---|---|
| 5+ | ₩414 |
| 50+ | ₩344 |
| 100+ | ₩273 |
| 500+ | ₩180 |
| 1500+ | ₩177 |
풀릴
| 수량 | 가격 |
|---|---|
| 3000+ | ₩159 |
| 9000+ | ₩156 |
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제품 정보
제조업체ONSEMI
제조업체 부품 번호BSS138W복사
제조업체 표준 리드 타임22주
주문 코드
풀릴2985351
리릴링2454148RL
컷 테이프2454148
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds50V
Continuous Drain Current Id210mA
Drain Source On State Resistance3.5ohm
Transistor Case StyleSOT-323
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max1.3V
Power Dissipation340mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
제품 개요
The BSS138W is a N-channel enhancement-mode FET designed to minimize ON-state resistance while provide rugged, reliable and fast switching performance. It is particularly suited for low voltage, low current applications such as power MOSFET gate drivers and other switching applications.
- High density cell design for extremely low RDS (ON)
애플리케이션
Power Management, Motor Drive & Control, Industrial
기술 사양
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
210mA
Transistor Case Style
SOT-323
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
340mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Drain Source Voltage Vds
50V
Drain Source On State Resistance
3.5ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1.3V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:South Korea
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:South Korea
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
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제품 준수 증명서
무게(kg):.001021