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BU406G
Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 200 V, 7 A, 60 W, TO-220, Through Hole
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제품 정보
제조업체ONSEMI
제조업체 부품 번호BU406G
주문 코드2535618
기술 데이터 시트
Transistor PolarityNPN
Collector Emitter Voltage Max200V
Continuous Collector Current7A
Power Dissipation60W
Transistor Case StyleTO-220
Transistor MountingThrough Hole
No. of Pins3Pins
Transition Frequency10MHz
DC Current Gain hFE Min10hFE
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCLead (27-Jun-2024)
기술 사양
Transistor Polarity
NPN
Continuous Collector Current
7A
Transistor Case Style
TO-220
No. of Pins
3Pins
DC Current Gain hFE Min
10hFE
Product Range
-
MSL
-
Collector Emitter Voltage Max
200V
Power Dissipation
60W
Transistor Mounting
Through Hole
Transition Frequency
10MHz
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
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법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:Y-Ex
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:Lead (27-Jun-2024)
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제품 준수 증명서
무게(kg):.002041