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BUB323ZT4G
Darlington Transistor, Darlington, NPN, 350 V, 150 W, 10 A, TO-263 (D2PAK), 3 Pins
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| 포장 유형 | 수량 | 단가: | 총계 |
|---|---|---|---|
| 컷 테이프 | 1 | ₩5,783 | ₩5,783 |
| 총계 가격 | ₩5,783 | ||
컷 테이프 & 리릴링
| 수량 | 가격 |
|---|---|
| 1+ | ₩5,783 |
| 10+ | ₩3,882 |
| 100+ | ₩2,853 |
| 500+ | ₩2,229 |
| 1000+ | ₩2,185 |
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제품 정보
제조업체ONSEMI
제조업체 부품 번호BUB323ZT4G복사
주문 코드
리릴링1653614RL
컷 테이프1653614
기술 데이터 시트
Transistor PolarityNPN
Collector Emitter Voltage V(br)ceo350V
Power Dissipation Pd150W
DC Collector Current10A
RF Transistor CaseTO-263 (D2PAK)
No. of Pins3Pins
DC Current Gain hFE500hFE
Transistor MountingSurface Mount
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
QualificationAEC-Q101
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
제품 개요
The BUB323ZT4G is a NPN bipolar silicon power Darlington Transistor with a built-in active Zener clamping circuit. This device is specifically designed for unclamped, inductive applications such as electronic ignition, switching regulators and motor control.
- Planar, monolithic
- Autoprotected
- Integrated high-voltage active clamp
- Tight clamping voltage window
- Clamping energy capability 100% tested in a live ignition circuit
- High DC current gain/low saturation voltages specified over full temperature range
- Design guarantees operation in SOA at all times
애플리케이션
Industrial, Power Management, Motor Drive & Control
기술 사양
Transistor Polarity
NPN
Power Dissipation Pd
150W
RF Transistor Case
TO-263 (D2PAK)
DC Current Gain hFE
500hFE
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
AEC-Q101
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
350V
DC Collector Current
10A
No. of Pins
3Pins
Transistor Mounting
Surface Mount
Product Range
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
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법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:Y-Ex
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
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제품 준수 증명서
무게(kg):.001911