페이지 인쇄
ECH8667-TL-H
Dual MOSFET, P Channel, 30 V, 30 V, 5.5 A, 5.5 A
이미지는 참고용으로만 제공됩니다. 자세한 내용은 제품 설명을 참조하세요.
주문 가능
제조업체 표준 리드 타임: 21주
입고 시 알림 요청
포장 옵션
| 포장 유형 | 수량 | 단가: | 총계 |
|---|---|---|---|
| 컷 테이프 | 1 | ₩2,044 | ₩2,044 |
| 총계 가격 | ₩2,044 | ||
컷 테이프 & 리릴링
| 수량 | 가격 |
|---|---|
| 1+ | ₩2,044 |
| 10+ | ₩957 |
| 100+ | ₩851 |
| 500+ | ₩666 |
| 1000+ | ₩528 |
| 5000+ | ₩502 |
라인 메모 추가
이 주문에 한해 주문 확인서, 청구서, 발송장에 추가됨,
제품 정보
제조업체ONSEMI
제조업체 부품 번호ECH8667-TL-H복사
제조업체 표준 리드 타임21주
주문 코드
리릴링3368882RL
컷 테이프3368882
기술 데이터 시트
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel30V
Drain Source Voltage Vds P Channel30V
Continuous Drain Current Id N Channel5.5A
Continuous Drain Current Id P Channel5.5A
Drain Source On State Resistance N Channel-
Drain Source On State Resistance P Channel0.039ohm
Transistor Case StyleSOT-28FL
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel1.5W
Power Dissipation P Channel1.5W
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCLead (25-Jun-2025)
기술 사양
Channel Type
P Channel
Drain Source Voltage Vds P Channel
30V
Continuous Drain Current Id P Channel
5.5A
Drain Source On State Resistance P Channel
0.039ohm
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
1.5W
Product Range
-
SVHC
Lead (25-Jun-2025)
Drain Source Voltage Vds N Channel
30V
Continuous Drain Current Id N Channel
5.5A
Drain Source On State Resistance N Channel
-
Transistor Case Style
SOT-28FL
Power Dissipation N Channel
1.5W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
기술 문서 (1)
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:Y-Ex
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:Lead (25-Jun-2025)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.0004