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FCMT299N60
Power MOSFET, N Channel, 600 V, 12 A, 0.25 ohm, PQFN, Surface Mount
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제품 정보
제조업체ONSEMI
제조업체 부품 번호FCMT299N60
주문 코드3018889
Product RangeSuperFET II
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds600V
Continuous Drain Current Id12A
Drain Source On State Resistance0.25ohm
Transistor Case StylePQFN
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3.5V
Power Dissipation125W
No. of Pins4Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeSuperFET II
Qualification-
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCLead (27-Jun-2024)
기술 사양
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
12A
Transistor Case Style
PQFN
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
125W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Drain Source Voltage Vds
600V
Drain Source On State Resistance
0.25ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
3.5V
No. of Pins
4Pins
Product Range
SuperFET II
MSL
MSL 1 - Unlimited
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Philippines
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Philippines
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85413000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:Y-Ex
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:Lead (27-Jun-2024)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.000008