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FCPF260N60E
Power MOSFET, N Channel, 600 V, 15 A, 0.26 ohm, TO-220F, Through Hole
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|---|---|
| 1+ | ₩6,550 |
| 10+ | ₩3,398 |
| 100+ | ₩3,067 |
| 500+ | ₩2,808 |
| 1000+ | ₩2,752 |
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제품 정보
제조업체ONSEMI
제조업체 부품 번호FCPF260N60E복사
제조업체 표준 리드 타임54주
주문 코드2254240
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds600V
Continuous Drain Current Id15A
Drain Source On State Resistance0.26ohm
Transistor Case StyleTO-220F
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.5V
Power Dissipation36W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
제품 개요
The FCPF260N60E is a N-channel SuperFET® II easy-drive high voltage super-junction MOSFET utilizes charge balance technology for outstanding low ON-resistance and lower gate charge performance. This technology is tailored to minimize conduction loss, provide superior switching performance, dV/dt rate and higher avalanche energy. Consequently, SuperFET II MOSFET is very suitable for the switching power applications such as PFC, server/telecom power, FPD TV power, ATX power and industrial power applications.
- Ultra low gate charge (Qg = 48nC)
- Low effective output capacitance (Coss.eff = 129pF)
- 100% avalanche tested
애플리케이션
Industrial, Power Management, Communications & Networking, Lighting, Alternative Energy, Consumer Electronics
기술 사양
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
15A
Transistor Case Style
TO-220F
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
36W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Drain Source Voltage Vds
600V
Drain Source On State Resistance
0.26ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
2.5V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:Y-Ex
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.002