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FDA38N30
Power MOSFET, N Channel, 300 V, 38 A, 0.07 ohm, TO-204AA, Through Hole
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제품 정보
제조업체ONSEMI
제조업체 부품 번호FDA38N30복사
제조업체 표준 리드 타임12주
주문 코드2453389
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds300V
Continuous Drain Current Id38A
Drain Source On State Resistance0.07ohm
Transistor Case StyleTO-204AA
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max5V
Power Dissipation312W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
제품 개요
The FDA38N30 is an UniFET™ N-channel MOSFET produced using high voltage planar stripe and DMOS technology. It is tailored to reduce ON-state resistance and to provide better switching performance and higher avalanche energy strength. It is suitable for switching power converter applications such as power factor correction (PFC), flat panel display (FPD) TV power, ATX and electronic lamp ballasts.
- 60nC typical low gate charge
- 60pF typical low Crss
- 100% avalanche tested
- ESD Improved capability
기술 사양
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
38A
Transistor Case Style
TO-204AA
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
312W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Drain Source Voltage Vds
300V
Drain Source On State Resistance
0.07ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
5V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
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법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:Y-Ex
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
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제품 준수 증명서
무게(kg):.006401