페이지 인쇄
FDP045N10A-F102
Power MOSFET, N Channel, 100 V, 120 A, 0.0038 ohm, TO-220, Through Hole
이미지는 참고용으로만 제공됩니다. 자세한 내용은 제품 설명을 참조하세요.
2,749 재고
더 필요하세요?
2749 3-4 영업일 이내 배송(영국 재고)
| 수량 | 가격 |
|---|---|
| 1+ | ₩6,927 |
| 10+ | ₩3,747 |
| 100+ | ₩3,413 |
| 500+ | ₩3,195 |
| 1000+ | ₩3,060 |
가격기준Each
주문 최소수량: 1
주문 배수수량: 1
₩6,927
부품 번호 /라인 메모 추가
이 주문에 한해 주문 확인서, 청구서, 발송장에 추가됨,
이 번호는 주문 확인서, 청구서, 발송장, 웹 확인 이메일, 제품 라벨에 추가됩니다.
제품 정보
제조업체ONSEMI
제조업체 부품 번호FDP045N10A-F102
주문 코드3368759
Product RangePowerTrench
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id120A
Drain Source On State Resistance0.0038ohm
Transistor Case StyleTO-220
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation263W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangePowerTrench
Qualification-
SVHCLead (27-Jun-2024)
기술 사양
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
120A
Transistor Case Style
TO-220
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
263W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
100V
Drain Source On State Resistance
0.0038ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
3Pins
Product Range
PowerTrench
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:Y-Ex
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:Lead (27-Jun-2024)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.002