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FDP083N15A-F102
Power MOSFET, N Channel, 150 V, 117 A, 6850 µohm, TO-220, Through Hole
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제품 정보
제조업체ONSEMI
제조업체 부품 번호FDP083N15A-F102복사
제조업체 표준 리드 타임19주
주문 코드2322597
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds150V
Continuous Drain Current Id117A
Drain Source On State Resistance6850µohm
Transistor Case StyleTO-220
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2V
Power Dissipation294W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCLead (25-Jun-2025)
제품 개요
The FDP083N15A_F102 is a N-channel MOSFET produced using PowerTrench® process. It has been tailored to minimize the ON-state resistance while maintaining superior switching performance. It is suitable for use in synchronous rectification for ATX/server/telecom PSU, battery protection circuit and uninterruptible power supplies.
- Fast switching speed
- Low gate charge
- High performance Trench technology for extremely low RDS (ON)
- High power and current handling capability
기술 사양
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
117A
Transistor Case Style
TO-220
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
294W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
Lead (25-Jun-2025)
Drain Source Voltage Vds
150V
Drain Source On State Resistance
6850µohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
2V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:Y-Ex
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:Lead (25-Jun-2025)
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제품 준수 증명서
무게(kg):.001996