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FDPF15N65
Power MOSFET, N Channel, 650 V, 15 A, 0.36 ohm, TO-220F, Through Hole
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제품 정보
제조업체ONSEMI
제조업체 부품 번호FDPF15N65복사
제조업체 표준 리드 타임17주
주문 코드2453860
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds650V
Continuous Drain Current Id15A
Drain Source On State Resistance0.36ohm
Transistor Case StyleTO-220F
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max5V
Power Dissipation38.5W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
제품 개요
The FDPF15N65 is a N-channel UniFET high voltage MOSFET based on planar stripe and DMOS technology. This MOSFET is tailored to reduce ON-state resistance and to provide better switching performance and higher avalanche energy strength. This device family is suitable for switching power converter applications such as power factor correction (PFC), flat panel display (FPD) TV power, ATX and electronic lamp ballasts.
- Low gate charge (48.5nC)
- Low Crss (23.6pF)
- 100% avalanche tested
애플리케이션
Industrial, Power Management, Communications & Networking, Consumer Electronics
경고
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
기술 사양
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
15A
Transistor Case Style
TO-220F
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
38.5W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Drain Source Voltage Vds
650V
Drain Source On State Resistance
0.36ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
5V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
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법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:Y-Ex
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
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제품 준수 증명서
무게(kg):.230425