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FDPF39N20
Power MOSFET, N Channel, 200 V, 39 A, 0.066 ohm, TO-220F, Through Hole
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| 수량 | 가격 |
|---|---|
| 1+ | ₩4,866 |
| 10+ | ₩2,433 |
| 100+ | ₩2,174 |
| 500+ | ₩1,752 |
| 1000+ | ₩1,720 |
| 5000+ | ₩1,686 |
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제품 정보
제조업체ONSEMI
제조업체 부품 번호FDPF39N20복사
주문 코드1495245
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds200V
Continuous Drain Current Id39A
Drain Source On State Resistance0.066ohm
Transistor Case StyleTO-220F
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max5V
Power Dissipation37W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
제품 개요
The FDPF39N20 is an UniFET™ high voltage MOSFET produced based on planar stripe and DMOS technology. It is tailored to reduce ON-state resistance and to provide better switching performance and higher avalanche energy strength. This device family is suitable for switching power converter applications such as power factor correction (PFC), flat panel display (FPD) TV power, ATX and electronic lamp ballasts.
- 100% Avalanche tested
- 38nC Typical low gate charge
- 57pF Typical low Crss
애플리케이션
Power Management, Consumer Electronics, Lighting
경고
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
기술 사양
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
39A
Transistor Case Style
TO-220F
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
37W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Drain Source Voltage Vds
200V
Drain Source On State Resistance
0.066ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
5V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
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법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:Y-Ex
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
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제품 준수 증명서
무게(kg):.00195