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FDS4559
Dual MOSFET, Complementary N and P Channel, 60 V, 60 V, 4.5 A, 4.5 A, 0.055 ohm
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| 수량 | 가격 |
|---|---|
| 5+ | ₩1,630 |
| 10+ | ₩1,156 |
| 100+ | ₩789 |
| 500+ | ₩568 |
| 1000+ | ₩540 |
| 2500+ | ₩512 |
가격기준Each (Supplied on Cut Tape)
주문 최소수량: 5
주문 배수수량: 5
₩8,150
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제품 정보
제조업체ONSEMI
제조업체 부품 번호FDS4559
주문 코드1471052
기술 데이터 시트
Channel TypeComplementary N and P Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel60V
Drain Source Voltage Vds P Channel60V
Continuous Drain Current Id N Channel4.5A
Continuous Drain Current Id P Channel4.5A
Drain Source On State Resistance N Channel0.055ohm
Drain Source On State Resistance P Channel0.055ohm
Transistor Case StyleSOIC
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel2W
Power Dissipation P Channel2W
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
제품 개요
The FDS4559 is a complementary MOSFET device is produced using advanced PowerTrench process that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain low gate charge for superior switching performance. Suitable for LCD backlight inverter.
애플리케이션
Power Management
기술 사양
Channel Type
Complementary N and P Channel
Drain Source Voltage Vds P Channel
60V
Continuous Drain Current Id P Channel
4.5A
Drain Source On State Resistance P Channel
0.055ohm
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
2W
Product Range
-
MSL
-
Drain Source Voltage Vds N Channel
60V
Continuous Drain Current Id N Channel
4.5A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.055ohm
Transistor Case Style
SOIC
Power Dissipation N Channel
2W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
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법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.000209