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FDS86140
Power MOSFET, N Channel, 100 V, 11.2 A, 9800 µohm, SOIC, Surface Mount
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포장 옵션
| 포장 유형 | 수량 | 단가: | 총계 |
|---|---|---|---|
| 컷 테이프 | 5 | ₩3,311 | ₩16,555 |
| 총계 가격 | ₩16,555 | ||
컷 테이프 & 리릴링
| 수량 | 가격 |
|---|---|
| 5+ | ₩3,311 |
| 50+ | ₩3,160 |
| 100+ | ₩3,009 |
| 500+ | ₩2,563 |
| 1000+ | ₩2,512 |
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제품 정보
제조업체ONSEMI
제조업체 부품 번호FDS86140복사
제조업체 표준 리드 타임29주
주문 코드
리릴링2083336RL
컷 테이프2083336
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id11.2A
Drain Source On State Resistance9800µohm
Transistor Case StyleSOIC
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.7V
Power Dissipation5W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
제품 개요
The FDS86140 is a N-channel MOSFET produced using advanced PowerTrench® process. It is suitable for DC-to-DC converters, off-line UPS and high voltage synchronous rectifier applications.
- High performance Trench technology for extremely low RDS (ON)
- High power and current handing capability in a widely used surface-mount package
- 100% UIL tested
경고
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
기술 사양
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
11.2A
Transistor Case Style
SOIC
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
5W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Drain Source Voltage Vds
100V
Drain Source On State Resistance
9800µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2.7V
No. of Pins
8Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
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법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Philippines
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Philippines
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
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제품 준수 증명서
무게(kg):.0005