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FDT4N50NZU
Power MOSFET, N Channel, 500 V, 2 A, 3 ohm, SOT-223, Surface Mount
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제조업체ONSEMI
제조업체 부품 번호FDT4N50NZU복사
제조업체 표준 리드 타임15주
주문 코드
리릴링3766137RL
컷 테이프3766137
Product RangeUniFET II Ultra FRFET
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포장 옵션
| 포장 유형 | 수량 | 단가: | 총계 |
|---|---|---|---|
| 컷 테이프 | 1 | ₩3,341 | ₩3,341 |
| 총계 가격 | ₩3,341 | ||
컷 테이프 & 리릴링
| 수량 | 가격 |
|---|---|
| 1+ | ₩3,341 |
| 10+ | ₩2,113 |
| 100+ | ₩1,432 |
| 500+ | ₩1,404 |
| 1000+ | ₩1,375 |
| 5000+ | ₩1,347 |
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제품 정보
제조업체ONSEMI
제조업체 부품 번호FDT4N50NZU복사
제조업체 표준 리드 타임15주
주문 코드
리릴링3766137RL
컷 테이프3766137
Product RangeUniFET II Ultra FRFET
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds500V
Continuous Drain Current Id2A
Drain Source On State Resistance3ohm
Transistor Case StyleSOT-223
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max5.5V
Power Dissipation2W
No. of Pins4Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeUniFET II Ultra FRFET
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
기술 사양
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
2A
Transistor Case Style
SOT-223
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
2W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Drain Source Voltage Vds
500V
Drain Source On State Resistance
3ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
5.5V
No. of Pins
4Pins
Product Range
UniFET II Ultra FRFET
MSL
MSL 1 - Unlimited
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
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제품 준수 증명서
무게(kg):.002