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FGA40N65SMD
IGBT, 80 A, 1.9 V, 349 W, 650 V, TO-3PN, 3 Pins
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| 수량 | 가격 |
|---|---|
| 1+ | ₩6,680 |
| 10+ | ₩4,458 |
| 100+ | ₩3,674 |
| 500+ | ₩3,355 |
| 1000+ | ₩3,135 |
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제품 정보
제조업체ONSEMI
제조업체 부품 번호FGA40N65SMD
주문 코드3368676
기술 데이터 시트
Continuous Collector Current80A
Collector Emitter Saturation Voltage1.9V
Power Dissipation349W
Collector Emitter Voltage Max650V
Transistor Case StyleTO-3PN
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Transistor MountingThrough Hole
Product Range-
SVHCLead (27-Jun-2024)
기술 사양
Continuous Collector Current
80A
Power Dissipation
349W
Transistor Case Style
TO-3PN
Operating Temperature Max
175°C
Product Range
-
Collector Emitter Saturation Voltage
1.9V
Collector Emitter Voltage Max
650V
No. of Pins
3Pins
Transistor Mounting
Through Hole
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:Y-Ex
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:Lead (27-Jun-2024)
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제품 준수 증명서
무게(kg):.007802