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FMB5551
Bipolar Transistor Array, Dual NPN, 160 V, 600 mA, 700 mW
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제조업체 표준 리드 타임: 13주
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포장 옵션
| 포장 유형 | 수량 | 단가: | 총계 |
|---|---|---|---|
| 컷 테이프 | 5 | ₩843 | ₩4,215 |
| 총계 가격 | ₩4,215 | ||
컷 테이프 & 리릴링
| 수량 | 가격 |
|---|---|
| 5+ | ₩843 |
| 10+ | ₩518 |
| 100+ | ₩332 |
| 500+ | ₩250 |
| 1000+ | ₩179 |
| 5000+ | ₩176 |
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제품 정보
제조업체ONSEMI
제조업체 부품 번호FMB5551복사
제조업체 표준 리드 타임13주
주문 코드
리릴링3003792RL
컷 테이프3003792
기술 데이터 시트
Transistor PolarityDual NPN
Collector Emitter Voltage Max NPN160V
Collector Emitter Voltage Max PNP-
Continuous Collector Current NPN600mA
Continuous Collector Current PNP-
Power Dissipation NPN700mW
Power Dissipation PNP-
DC Current Gain hFE Min NPN30hFE
DC Current Gain hFE Min PNP-
Transistor Case StyleSuperSOT
No. of Pins6Pins
Transistor MountingSurface Mount
Operating Temperature Max150°C
Transition Frequency NPN300MHz
Transition Frequency PNP-
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
기술 사양
Transistor Polarity
Dual NPN
Collector Emitter Voltage Max PNP
-
Continuous Collector Current PNP
-
Power Dissipation PNP
-
DC Current Gain hFE Min PNP
-
No. of Pins
6Pins
Operating Temperature Max
150°C
Transition Frequency PNP
-
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Collector Emitter Voltage Max NPN
160V
Continuous Collector Current NPN
600mA
Power Dissipation NPN
700mW
DC Current Gain hFE Min NPN
30hFE
Transistor Case Style
SuperSOT
Transistor Mounting
Surface Mount
Transition Frequency NPN
300MHz
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Philippines
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Philippines
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85413000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
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제품 준수 증명서
무게(kg):.0005