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FQP33N10
Power MOSFET, N Channel, 100 V, 33 A, 0.052 ohm, TO-220, Through Hole
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더 이상 제조되지 않음
제품 정보
제조업체ONSEMI
제조업체 부품 번호FQP33N10복사
주문 코드9845534
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id33A
Drain Source On State Resistance0.052ohm
Transistor Case StyleTO-220
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation127W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCLead (27-Jun-2024)
제품 개요
The FQP33N10 is a 100V N-channel QFET® enhancement mode Power MOSFET is produced using planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce on-state resistance and to provide superior switching performance and high avalanche energy strength. This product is general usage and suitable for many different applications.
- Low gate charge
- 100% avalanche tested
- Improved system reliability in PFC and soft switching topologies
- Switching loss improvements
- Lower conduction loss
- 175°C maximum junction temperature rating
기술 사양
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
33A
Transistor Case Style
TO-220
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
127W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Drain Source Voltage Vds
100V
Drain Source On State Resistance
0.052ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
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3개 제품을 찾았습니다.
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:Y-Ex
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:Lead (27-Jun-2024)
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제품 준수 증명서
무게(kg):.002