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FQU17P06TU
Power MOSFET, P Channel, 60 V, 12 A, 0.11 ohm, TO-251AA, Through Hole
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더 이상 재고 없음
제품 정보
제조업체ONSEMI
제조업체 부품 번호FQU17P06TU복사
주문 코드9846174
기술 데이터 시트
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id12A
Drain Source On State Resistance0.11ohm
Transistor Case StyleTO-251AA
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation79W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCLead (17-Jan-2022)
제품 개요
The FQU17P06 is a P-channel enhancement mode power MOSFET is produced using planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce on-state resistance and to provide superior switching performance and high avalanche energy strength.
- Low gate charge
- 100% Avalanche tested
- Low crss (typical 80pF)
- ±25V Gate-source voltage
애플리케이션
Power Management, Motor Drive & Control, Audio
경고
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
기술 사양
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
12A
Transistor Case Style
TO-251AA
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
79W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (17-Jan-2022)
Drain Source Voltage Vds
60V
Drain Source On State Resistance
0.11ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
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3개 제품을 찾았습니다.
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:Y-Ex
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:Lead (17-Jan-2022)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.000671