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KSC5502DTM
Bipolar (BJT) Single Transistor, High Voltage, NPN, 600 V, 2 A, 50 W, TO-252 (DPAK), Surface Mount
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제품 정보
제조업체ONSEMI
제조업체 부품 번호KSC5502DTM
주문 코드2101374
기술 데이터 시트
Transistor PolarityNPN
Collector Emitter Voltage Max600V
Continuous Collector Current2A
Power Dissipation50W
Transistor Case StyleTO-252 (DPAK)
Transistor MountingSurface Mount
No. of Pins3Pins
Transition Frequency11MHz
DC Current Gain hFE Min15hFE
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCLead (27-Jun-2024)
제품 개요
The KSC5502DTM is a NPN triple diffused planar Silicon Transistor offers 1200V collector base voltage and 2A collector current. It is suitable for high voltage power switch switching applications.
- Wide safe operating area
- Built-in free-wheeling diode
- Small variance in storage time
- Suitable for electronic ballast application
애플리케이션
Power Management, Industrial
기술 사양
Transistor Polarity
NPN
Continuous Collector Current
2A
Transistor Case Style
TO-252 (DPAK)
No. of Pins
3Pins
DC Current Gain hFE Min
15hFE
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Collector Emitter Voltage Max
600V
Power Dissipation
50W
Transistor Mounting
Surface Mount
Transition Frequency
11MHz
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:Y-Ex
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:Lead (27-Jun-2024)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.000557