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KSD2012GTU
Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 60 V, 3 A, 25 W, TO-220F, Through Hole
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| 수량 | 가격 |
|---|---|
| 1+ | ₩2,360 |
| 10+ | ₩793 |
| 100+ | ₩739 |
| 500+ | ₩666 |
| 1000+ | ₩652 |
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제품 정보
제조업체ONSEMI
제조업체 부품 번호KSD2012GTU
주문 코드2825110
기술 데이터 시트
Transistor PolarityNPN
Collector Emitter Voltage Max60V
Continuous Collector Current3A
Power Dissipation25W
Transistor Case StyleTO-220F
Transistor MountingThrough Hole
No. of Pins3Pins
Transition Frequency3MHz
DC Current Gain hFE Min150hFE
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
기술 사양
Transistor Polarity
NPN
Continuous Collector Current
3A
Transistor Case Style
TO-220F
No. of Pins
3Pins
DC Current Gain hFE Min
150hFE
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Collector Emitter Voltage Max
60V
Power Dissipation
25W
Transistor Mounting
Through Hole
Transition Frequency
3MHz
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:Y-Ex
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
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제품 준수 증명서
무게(kg):.003005