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제품 정보
제조업체ONSEMI
제조업체 부품 번호MBR1100G복사
제조업체 표준 리드 타임29주
주문 코드2535567
Product RangeMBR11
기술 데이터 시트
Repetitive Peak Reverse Voltage100V
Average Forward Current1A
Diode ConfigurationSingle
Diode Case StyleDO-41 (DO-204AL)
No. of Pins2Pins
Forward Voltage Max790mV
Forward Surge Current50A
Operating Temperature Max175°C
Diode MountingThrough Hole
Product RangeMBR11
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
제품 개요
The MBR1100G is an axial-lead Schottky Rectifier with epoxy moulded case. It employs the Schottky barrier principle in a large area metal-to-silicon power diode. The state-of-the-art geometry features epitaxial construction with oxide passivation and metal overlap contact. It is ideally suited for use as rectifiers in low-voltage, high-frequency inverters, free-wheeling diodes and polarity protection diodes.
- Cathode indicated by polarity band
- Low reverse current
- Low stored charge, majority carrier conduction
- Low power loss/high efficiency
- Highly stable oxide passivated junction
- Guard-ring for stress protection
- Low forward voltage
- High surge capacity
- All external surfaces corrosion-resistant
애플리케이션
Power Management, Industrial
기술 사양
Repetitive Peak Reverse Voltage
100V
Diode Configuration
Single
No. of Pins
2Pins
Forward Surge Current
50A
Diode Mounting
Through Hole
Qualification
-
Average Forward Current
1A
Diode Case Style
DO-41 (DO-204AL)
Forward Voltage Max
790mV
Operating Temperature Max
175°C
Product Range
MBR11
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85411000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:Y-Ex
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.000359