페이지 인쇄
이미지는 참고용으로만 제공됩니다. 자세한 내용은 제품 설명을 참조하세요.
104 재고
더 필요하세요?
104 3-4 영업일 이내 배송(영국 재고)
수량 | 가격 |
---|---|
1+ | ₩16,700 |
5+ | ₩14,907 |
10+ | ₩13,113 |
50+ | ₩12,764 |
100+ | ₩12,393 |
250+ | ₩12,022 |
가격기준Each
주문 최소수량: 1
주문 배수수량: 1
₩16,700
부품 번호 /라인 메모 추가
이 주문에 한해 주문 확인서, 청구서, 발송장에 추가됨,
이 번호는 주문 확인서, 청구서, 발송장, 웹 확인 이메일, 제품 라벨에 추가됩니다.
제품 정보
제조업체ONSEMI
제조업체 부품 번호MJ11033G
주문 코드2535620
기술 데이터 시트
Transistor PolarityPNP
Collector Emitter Voltage V(br)ceo120V
Power Dissipation Pd300W
DC Collector Current50A
RF Transistor CaseTO-3
No. of Pins2Pins
DC Current Gain hFE18000hFE
Transistor MountingThrough Hole
Operating Temperature Max200°C
Product Range-
Qualification-
SVHCLead (27-Jun-2024)
제품 개요
The MJ11033G is a PNP Complementary Silicon Darlington Power Transistor for use as output devices in complementary general purpose amplifier applications. This transistor features monolithic construction with built-in base-emitter shunt resistor.
- High DC current gain
- Diode protection to rated IC
애플리케이션
Industrial, Power Management
기술 사양
Transistor Polarity
PNP
Power Dissipation Pd
300W
RF Transistor Case
TO-3
DC Current Gain hFE
18000hFE
Operating Temperature Max
200°C
Qualification
-
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
120V
DC Collector Current
50A
No. of Pins
2Pins
Transistor Mounting
Through Hole
Product Range
-
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
기술 문서 (1)
관련 제품
7개 제품을 찾았습니다.
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Mexico
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Mexico
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:Y-Ex
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:Lead (27-Jun-2024)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.014061