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MJ802G
Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 90 V, 30 A, 200 W, TO-204, Through Hole
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| 수량 | 가격 |
|---|---|
| 1+ | ₩14,057 |
| 5+ | ₩11,743 |
| 10+ | ₩9,429 |
| 50+ | ₩9,241 |
| 100+ | ₩9,052 |
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제품 정보
제조업체ONSEMI
제조업체 부품 번호MJ802G복사
주문 코드2535622
기술 데이터 시트
Transistor PolarityNPN
Collector Emitter Voltage Max90V
Continuous Collector Current30A
Power Dissipation200W
Transistor Case StyleTO-204
Transistor MountingThrough Hole
No. of Pins2Pins
Transition Frequency2MHz
DC Current Gain hFE Min25hFE
Operating Temperature Max200°C
Product Range-
QualificationAEC-Q101
MSL-
SVHCLead (25-Jun-2025)
제품 개요
The MJ802G is a 90V Silicon NPN Bipolar High Power Transistor for use as an output device in complementary audio amplifiers to 100W music power per channel.
- High DC current gain
- Excellent safe operating area
- Collector-base voltage (Vcbo = 100V)
- Emitter-base voltage (Vcbo = 4V)
애플리케이션
Audio
기술 사양
Transistor Polarity
NPN
Continuous Collector Current
30A
Transistor Case Style
TO-204
No. of Pins
2Pins
DC Current Gain hFE Min
25hFE
Product Range
-
MSL
-
Collector Emitter Voltage Max
90V
Power Dissipation
200W
Transistor Mounting
Through Hole
Transition Frequency
2MHz
Operating Temperature Max
200°C
Qualification
AEC-Q101
SVHC
Lead (25-Jun-2025)
기술 문서 (1)
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법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Mexico
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Mexico
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:Y-Ex
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:Lead (25-Jun-2025)
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제품 준수 증명서
무게(kg):.01202