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MJD117T4G
Darlington Transistor, PNP, 100 V, 20 W, 2 A, TO-252 (DPAK), 4 Pins
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제품 정보
제조업체ONSEMI
제조업체 부품 번호MJD117T4G
주문 코드2845303
기술 데이터 시트
Transistor PolarityPNP
Collector Emitter Voltage V(br)ceo100V
Power Dissipation Pd20W
DC Collector Current2A
RF Transistor CaseTO-252 (DPAK)
No. of Pins4Pins
DC Current Gain hFE200hFE
Transistor MountingSurface Mount
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCLead (27-Jun-2024)
기술 사양
Transistor Polarity
PNP
Power Dissipation Pd
20W
RF Transistor Case
TO-252 (DPAK)
DC Current Gain hFE
200hFE
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
100V
DC Collector Current
2A
No. of Pins
4Pins
Transistor Mounting
Surface Mount
Product Range
-
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
MJD117T4G의 대체 제품
2개 제품을 찾았습니다.
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:Y-Ex
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:Lead (27-Jun-2024)
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제품 준수 증명서
무게(kg):.000426