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MJD200G
TRANSISTOR, RF
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제품 정보
제조업체ONSEMI
제조업체 부품 번호MJD200G복사
주문 코드1611254
기술 데이터 시트
Transistor PolarityNPN
Collector Emitter Voltage Max25V
Continuous Collector Current5A
Power Dissipation1.4W
Transistor Case StyleTO-252 (DPAK)
Transistor MountingSurface Mount
No. of Pins3Pins
Transition Frequency65MHz
DC Current Gain hFE Min65hFE
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MJD200G의 대체 제품
2개 제품을 찾았습니다.
기술 사양
Transistor Polarity
NPN
Continuous Collector Current
5A
Transistor Case Style
TO-252 (DPAK)
No. of Pins
3Pins
DC Current Gain hFE Min
65hFE
Product Range
-
Collector Emitter Voltage Max
25V
Power Dissipation
1.4W
Transistor Mounting
Surface Mount
Transition Frequency
65MHz
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Vietnam
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Vietnam
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85411000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:Y-Ex
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.0001