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MJD200T4G
Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 25 V, 5 A, 12.5 W, TO-252 (DPAK), Surface Mount
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| 50+ | ₩576 |
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| 500+ | ₩395 |
| 1000+ | ₩355 |
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제품 정보
제조업체ONSEMI
제조업체 부품 번호MJD200T4G
주문 코드2464109
기술 데이터 시트
Transistor PolarityNPN
Collector Emitter Voltage Max25V
Continuous Collector Current5A
Power Dissipation12.5W
Transistor Case StyleTO-252 (DPAK)
Transistor MountingSurface Mount
No. of Pins3Pins
Transition Frequency65MHz
DC Current Gain hFE Min70hFE
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCLead (25-Jun-2025)
기술 사양
Transistor Polarity
NPN
Continuous Collector Current
5A
Transistor Case Style
TO-252 (DPAK)
No. of Pins
3Pins
DC Current Gain hFE Min
70hFE
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Collector Emitter Voltage Max
25V
Power Dissipation
12.5W
Transistor Mounting
Surface Mount
Transition Frequency
65MHz
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (25-Jun-2025)
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법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:Y-Ex
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:Lead (25-Jun-2025)
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제품 준수 증명서
무게(kg):.004536