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MJD210G
Bipolar (BJT) Single Transistor, PNP, 25 V, 5 A, 1.4 W, TO-252 (DPAK), Surface Mount
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| 수량 | 가격 |
|---|---|
| 1+ | ₩1,395 |
| 10+ | ₩545 |
| 100+ | ₩502 |
| 500+ | ₩458 |
| 1000+ | ₩383 |
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제품 정보
제조업체ONSEMI
제조업체 부품 번호MJD210G
주문 코드1459085
기술 데이터 시트
Transistor PolarityPNP
Collector Emitter Voltage Max25V
Continuous Collector Current5A
Power Dissipation1.4W
Transistor Case StyleTO-252 (DPAK)
Transistor MountingSurface Mount
No. of Pins3Pins
Transition Frequency65MHz
DC Current Gain hFE Min3hFE
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
QualificationAEC-Q101
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCLead (27-Jun-2024)
제품 개요
The MJD210G is a 5A PNP bipolar Power Transistor designed for low voltage, low power, high gain audio amplifier applications.
- Complementary device
- High current-gain - bandwidth product (fT = 65MHz minimum @ IC = 100mA DC)
- AEC-Q101 qualified and PPAP capable
애플리케이션
Industrial, Power Management, Automotive
기술 사양
Transistor Polarity
PNP
Continuous Collector Current
5A
Transistor Case Style
TO-252 (DPAK)
No. of Pins
3Pins
DC Current Gain hFE Min
3hFE
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Collector Emitter Voltage Max
25V
Power Dissipation
1.4W
Transistor Mounting
Surface Mount
Transition Frequency
65MHz
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
AEC-Q101
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
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법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Vietnam
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Vietnam
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:Y-Ex
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:Lead (27-Jun-2024)
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제품 준수 증명서
무게(kg):.000454