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MJD3055T4G
Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 60 V, 10 A, 1.75 W, TO-252 (DPAK), Surface Mount
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제품 정보
제조업체ONSEMI
제조업체 부품 번호MJD3055T4G
주문 코드2845306
기술 데이터 시트
Transistor PolarityNPN
Collector Emitter Voltage Max60V
Continuous Collector Current10A
Power Dissipation1.75W
Transistor Case StyleTO-252 (DPAK)
Transistor MountingSurface Mount
No. of Pins4Pins
Transition Frequency2MHz
DC Current Gain hFE Min5hFE
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCLead (27-Jun-2024)
기술 사양
Transistor Polarity
NPN
Continuous Collector Current
10A
Transistor Case Style
TO-252 (DPAK)
No. of Pins
4Pins
DC Current Gain hFE Min
5hFE
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Collector Emitter Voltage Max
60V
Power Dissipation
1.75W
Transistor Mounting
Surface Mount
Transition Frequency
2MHz
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
MJD3055T4G의 대체 제품
1개 제품을 찾았습니다.
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:Y-Ex
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:Lead (27-Jun-2024)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.000426