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MJD50G
Bipolar (BJT) Single Transistor, General Purpose, NPN, 400 V, 1 A, 1.56 W, TO-252 (DPAK)
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제품 정보
제조업체ONSEMI
제조업체 부품 번호MJD50G복사
주문 코드9555870
기술 데이터 시트
Transistor PolarityNPN
Collector Emitter Voltage Max400V
Continuous Collector Current1A
Power Dissipation1.56W
Transistor Case StyleTO-252 (DPAK)
Transistor MountingSurface Mount
No. of Pins4Pins
Transition Frequency10MHz
DC Current Gain hFE Min30hFE
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
QualificationAEC-Q101
SVHCLead (25-Jun-2025)
제품 개요
The MJD50G is a 1A NPN high voltage bipolar Power Transistor designed for line operated audio output amplifier, SWITCHMODE power supply drivers and other switching applications.
- Electrically similar to popular TIP47 and TIP50
- AEC-Q101 qualified and PPAP capable
애플리케이션
Industrial, Power Management, Automotive, Audio
기술 사양
Transistor Polarity
NPN
Continuous Collector Current
1A
Transistor Case Style
TO-252 (DPAK)
No. of Pins
4Pins
DC Current Gain hFE Min
30hFE
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Collector Emitter Voltage Max
400V
Power Dissipation
1.56W
Transistor Mounting
Surface Mount
Transition Frequency
10MHz
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
AEC-Q101
SVHC
Lead (25-Jun-2025)
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법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Vietnam
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Vietnam
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:Y-Ex
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:Lead (25-Jun-2025)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.0004