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MJE13007G
Bipolar (BJT) Single Transistor, General Purpose, NPN, 400 V, 8 A, 80 W, TO-220, Through Hole
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제품 정보
제조업체ONSEMI
제조업체 부품 번호MJE13007G복사
제조업체 표준 리드 타임15주
주문 코드9557857
기술 데이터 시트
Transistor PolarityNPN
Collector Emitter Voltage Max400V
Continuous Collector Current8A
Power Dissipation80W
Transistor Case StyleTO-220
Transistor MountingThrough Hole
No. of Pins3Pins
Transition Frequency14MHz
DC Current Gain hFE Min4hFE
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCLead (25-Jun-2025)
제품 개요
The MJE13007G is a Silicon NPN Bipolar Power Transistor designed for high voltage and high speed power switching inductive circuits where fall time is critical. It is particularly suited for 115 and 220V switch mode applications such as switching regulators, inverters, motor controls, solenoid/relay drivers and deflection circuits.
- SOA and switching applications
- Collector-base voltage (Vcbo = 700V)
- Emitter-base voltage (Vcbo = 9V)
애플리케이션
Power Management, Motor Drive & Control, Industrial
기술 사양
Transistor Polarity
NPN
Continuous Collector Current
8A
Transistor Case Style
TO-220
No. of Pins
3Pins
DC Current Gain hFE Min
4hFE
Product Range
-
MSL
-
Collector Emitter Voltage Max
400V
Power Dissipation
80W
Transistor Mounting
Through Hole
Transition Frequency
14MHz
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (25-Jun-2025)
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법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:Y-Ex
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:Lead (25-Jun-2025)
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제품 준수 증명서
무게(kg):.002041