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MJE180G
Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 40 V, 3 A, 12.5 W, TO-225, Through Hole
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|---|---|
| 1+ | ₩2,546 |
| 10+ | ₩1,539 |
| 100+ | ₩1,075 |
| 500+ | ₩788 |
| 1000+ | ₩707 |
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제품 정보
제조업체ONSEMI
제조업체 부품 번호MJE180G복사
제조업체 표준 리드 타임19주
주문 코드2845310
기술 데이터 시트
Transistor PolarityNPN
Collector Emitter Voltage Max40V
Continuous Collector Current3A
Power Dissipation12.5W
Transistor Case StyleTO-225
Transistor MountingThrough Hole
No. of Pins3Pins
Transition Frequency50MHz
DC Current Gain hFE Min12hFE
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCLead (25-Jun-2025)
기술 사양
Transistor Polarity
NPN
Continuous Collector Current
3A
Transistor Case Style
TO-225
No. of Pins
3Pins
DC Current Gain hFE Min
12hFE
Product Range
-
MSL
-
Collector Emitter Voltage Max
40V
Power Dissipation
12.5W
Transistor Mounting
Through Hole
Transition Frequency
50MHz
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (25-Jun-2025)
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:Lead (25-Jun-2025)
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제품 준수 증명서
무게(kg):.000454