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MJE253G
Bipolar (BJT) Single Transistor, Audio, PNP, 100 V, 4 A, 15 W, TO-225, Through Hole
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| 수량 | 가격 |
|---|---|
| 1+ | ₩1,942 |
| 10+ | ₩1,214 |
| 100+ | ₩801 |
| 500+ | ₩622 |
| 1000+ | ₩610 |
| 5000+ | ₩598 |
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제품 정보
제조업체ONSEMI
제조업체 부품 번호MJE253G복사
제조업체 표준 리드 타임18주
주문 코드1459091
기술 데이터 시트
Transistor PolarityPNP
Collector Emitter Voltage Max100V
Continuous Collector Current4A
Power Dissipation15W
Transistor Case StyleTO-225
Transistor MountingThrough Hole
No. of Pins3Pins
Transition Frequency40MHz
DC Current Gain hFE Min40hFE
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCLead (25-Jun-2025)
제품 개요
The MJE253G is a -100V Silicon PNP Complementary Plastic Power Transistor designed for low power audio amplifier as well as low current and high speed switching applications.
- High collector-emitter sustaining voltage
- High DC current gain
- Low collector emitter saturation voltage
- High current gain bandwidth
- Annular construction for low leakages
애플리케이션
Audio, Industrial
기술 사양
Transistor Polarity
PNP
Continuous Collector Current
4A
Transistor Case Style
TO-225
No. of Pins
3Pins
DC Current Gain hFE Min
40hFE
Product Range
-
MSL
-
Collector Emitter Voltage Max
100V
Power Dissipation
15W
Transistor Mounting
Through Hole
Transition Frequency
40MHz
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (25-Jun-2025)
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:Lead (25-Jun-2025)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.002087