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MJE340G
Bipolar (BJT) Single Transistor, General Purpose, NPN, 300 V, 500 mA, 20 W, TO-225AA, Through Hole
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제품 정보
제조업체ONSEMI
제조업체 부품 번호MJE340G복사
제조업체 표준 리드 타임12주
주문 코드9557822
기술 데이터 시트
Transistor PolarityNPN
Collector Emitter Voltage Max300V
Continuous Collector Current500mA
Power Dissipation20W
Transistor Case StyleTO-225AA
Transistor MountingThrough Hole
No. of Pins3Pins
Transition Frequency-
DC Current Gain hFE Min240hFE
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCLead (25-Jun-2025)
제품 개요
The MJE340G is a 300V Silicon NPN Complementary Plastic Medium Power Transistor useful for high voltage general purpose applications. This transistor has thermo pad construction that provides high power dissipation rating for high reliability.
- Suitable for transformerless, line operated equipment
- Emitter-base voltage (Vcbo = 5V)
애플리케이션
Power Management
기술 사양
Transistor Polarity
NPN
Continuous Collector Current
500mA
Transistor Case Style
TO-225AA
No. of Pins
3Pins
DC Current Gain hFE Min
240hFE
Product Range
-
MSL
-
Collector Emitter Voltage Max
300V
Power Dissipation
20W
Transistor Mounting
Through Hole
Transition Frequency
-
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (25-Jun-2025)
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법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:Lead (25-Jun-2025)
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제품 준수 증명서
무게(kg):.00064