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10+ | ₩4,560 |
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제품 정보
제조업체ONSEMI
제조업체 부품 번호MJH11020G
주문 코드2101382
기술 데이터 시트
Transistor PolarityNPN
Collector Emitter Voltage V(br)ceo200V
Power Dissipation Pd150W
DC Collector Current15A
RF Transistor CaseTO-247
No. of Pins3Pins
DC Current Gain hFE400hFE
Transistor MountingThrough Hole
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
제품 개요
The MJH11020G is a 200V Silicon NPN Bipolar Complementary Darlington Power Transistor designed for use as general purpose amplifiers, low frequency switching and motor control applications. The transistor has monolithic construction.
- High DC current gain
- Low collector emitter saturation voltage
- Collector-emitter sustaining voltage(Vce (sus) = 200VDC minimum)
애플리케이션
Industrial, Motor Drive & Control
기술 사양
Transistor Polarity
NPN
Power Dissipation Pd
150W
RF Transistor Case
TO-247
DC Current Gain hFE
400hFE
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
200V
DC Collector Current
15A
No. of Pins
3Pins
Transistor Mounting
Through Hole
Product Range
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
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법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.004083