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MJW21196G
Bipolar (BJT) Single Transistor, General Purpose, NPN, 250 V, 16 A, 200 W, TO-247, Through Hole
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제품 정보
제조업체ONSEMI
제조업체 부품 번호MJW21196G복사
제조업체 표준 리드 타임19주
주문 코드1700966
기술 데이터 시트
Transistor PolarityNPN
Collector Emitter Voltage Max250V
Continuous Collector Current16A
Power Dissipation200W
Transistor Case StyleTO-247
Transistor MountingThrough Hole
No. of Pins3Pins
Transition Frequency-
DC Current Gain hFE Min20hFE
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
제품 개요
The MJW21196G is a 250V Silicon NPN Bipolar Power Transistor that utilizes perforated emitter technology and is specifically designed for high power audio output, disk head positioners and linear applications.
- Total harmonic distortion characterized
- High DC current gain
- Excellent gain linearity
- High SOA
애플리케이션
Audio, Industrial
기술 사양
Transistor Polarity
NPN
Continuous Collector Current
16A
Transistor Case Style
TO-247
No. of Pins
3Pins
DC Current Gain hFE Min
20hFE
Product Range
-
MSL
-
Collector Emitter Voltage Max
250V
Power Dissipation
200W
Transistor Mounting
Through Hole
Transition Frequency
-
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.00542