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MMBF170LT1G
Power MOSFET, N Channel, 60 V, 500 mA, 5 ohm, SOT-23, Surface Mount
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포장 옵션
| 포장 유형 | 수량 | 단가: | 총계 |
|---|---|---|---|
| 컷 테이프 | 5 | ₩364 | ₩1,820 |
| 총계 가격 | ₩1,820 | ||
컷 테이프 & 리릴링
| 수량 | 가격 |
|---|---|
| 5+ | ₩364 |
| 50+ | ₩293 |
| 100+ | ₩222 |
| 500+ | ₩139 |
| 1500+ | ₩137 |
풀릴
| 수량 | 가격 |
|---|---|
| 3000+ | ₩126 |
| 9000+ | ₩124 |
라인 메모 추가
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제품 정보
제조업체ONSEMI
제조업체 부품 번호MMBF170LT1G복사
제조업체 표준 리드 타임22주
주문 코드
풀릴2442043
리릴링1431321RL
컷 테이프1431321
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id500mA
Drain Source On State Resistance5ohm
Transistor Case StyleSOT-23
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Power Dissipation225mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
제품 개요
The MMBF170LT1G is a N-channel Power MOSFET with drain source voltage at 60VDC and drain current at 500mA.
- AEC-Q101 Qualified
- PPAP capable
애플리케이션
Automotive
기술 사양
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
500mA
Transistor Case Style
SOT-23
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
225mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Drain Source Voltage Vds
60V
Drain Source On State Resistance
5ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
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법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.000272